广东省中科宏微半导体设备有限公司

公司简介

广东省中科宏微半导体设备有限公司,是由中国科学院半导体研究所、广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院)、广东国晟投资有限公司、东莞勤上光电股份有限公司和洲明科技股份有限公司共同投资组建的股份制公司。公司注册资本为13057.24万元人民币,总投资超过3亿元人民币。公司以中国科学院半导体研究所为技术依托,聚集国内外团队,专注于半导体照明产业领域的重大核心装备—金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备的研发和制造,所开发产品具有国内领先,国际先进水平。公司研发团队成员均拥有研究生或大学学历,专业构成主要有半导体材料、机械设计、真空技术、流体仿真模拟、电气自动控制等多方面专业领域。本项目团队以自主研发的MOCVD重大装备,实现MOCVD装备的国产化为目标。公司承担有国家“863”和广东省科技厅重大科技项目。MOCVD装备研发和制造技术的突破,为打破国外公司对MOCVD装备市场的垄断,实现MOCVD装备的国产化铺平了道路。该项目得到了中共中央政治局委员、广东省委书记汪洋、全国人大常委会副委员长路甬祥和中国科学院院长白春礼等领导的极大关注和支持。广东省科技厅和广州市政府对MOCVD项目技术成果顺利“落地”并快速发展,给予了积极支持和大力协助。
我公司已成功下线首台48片国产MOCVD设备,目前正进行第二、三台改进型样机的调试工作,计划于2013年内完成接下来10台MOCVD设备的制作。物穷其理,宏微交替。公司将努力搭建国际的MOCVD装备设计、制造和生产平台,形成年产MOCVD设备200台以上、年产值超过20亿元人民币的规模,成为国际的MOCVD高端装备制造企业和支撑我国半导体照明产业发展的重要企业。

联系方式

公司地址:
广州高新技术产业开发区科学城开源大道11号A4栋首层
固定电话:
020-66343760
经理:
贺湘华
电子邮件:
admin@mtmsemi.cn
邮政编码:
510000
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其他联系方式

手机号码13925106195
电子邮箱admin@mtmsemi.cn
座机号码020-66343760

工商信息和基本资料

法人名称:
广东省中科宏微半导体设备有限公司
简称:
中科宏微半导体设备
主要经营产品:
未提供
经营范围:
照明器具生产专用设备制造;节能技术开发服务;电子工业专用设备制造;机械零部件加工;光电子器件及其他电子器件制造;电光源制造;信息技术咨询服务;(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)〓
营业执照号码:
440108000036321
发证机关:
广州市黄埔区市场监督管理局
法人类型:
其他有限责任公司
核准日期:
2016-07-26
经营期限:
永久
经营状态:
在业
成立时间:
2011年01月26日
职员人数:
50人
注册资本:
10665.24万 (万元)
所属行业:
机械设备
所属城市黄页:
广州企业网
顺企编码:
37689810

广东省中科宏微半导体设备有限公司的股东

股东名字出资比例出资额
广东省电子信息产业集团有限公司37.51%人民币4000万元
中国科学院半导体研究所28%人民币2985.93万元
广东省半导体产业技术研究院19.51%人民币2081.31万元
广东广晟光电科技有限公司9.38%人民币1000.0万元
东莞勤上光电股份有限公司3.75%人民币400.0万元
深圳市洲明科技股份有限公司1.86%人民币198.0万元

广东省中科宏微半导体设备有限公司的工商变更记录

变更项目变更后变更前时间
股东变更东莞勤上光电股份有限公司 广东广晟光电科技有限公司 广东省电子信息产业集团有限公司 广东省科学院半导体研究所 [新增] 深圳市洲明科技股份有限公司 中国科学院半导体研究所东莞勤上光电股份有限公司 广东广晟光电科技有限公司 广东省电子信息产业集团有限公司 广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院) [退出] 深圳市洲明科技股份有限公司 中国科学院半导体研究所2021-09-13
章程备案准予章程备案-2021-09-13
组织机构备案陈研曚(监事会主席) 陈志涛(董事) 范忠凯(董事长) [新增] 方乐(董事) [新增] 郭峰(董事) 胡艳(监事) 李丽娜(董事) [新增] 刘金兰(董事) 吕强(监事) 石砥(董事) 曾一平(董事)陈研曚(监事会主席) 陈志涛(董事) 郭峰(董事) 贺湘华(董事长) [退出] 胡艳(监事) 刘金兰(董事) 吕强(监事) 石砥(董事) 唐群力(董事) [退出] 王美花(董事) [退出] 曾一平(董事)2018-05-09
董事备案陈研曚(监事会主席) 陈志涛(董事) 范忠凯(董事长) [新增] 方乐(董事) [新增] 郭峰(董事) 胡艳(监事) 李丽娜(董事) [新增] 刘金兰(董事) 吕强(监事) 石砥(董事) 曾一平(董事)陈研曚(监事会主席) 陈志涛(董事) 郭峰(董事) 贺湘华(董事长) [退出] 胡艳(监事) 刘金兰(董事) 吕强(监事) 石砥(董事) 唐群力(董事) [退出] 王美花(董事) [退出] 曾一平(董事)2018-05-09
法定代表人变更范忠凯贺湘华2018-05-09
董事备案陈研曚,监事会主席,选举, 陈志涛,董事,委派, 范忠凯,董事长,选举,是 [新增] 方乐,董事,选举, [新增] 郭峰,董事,委派, 胡艳,监事,选举, 李丽娜,董事,选举, [新增] 刘金兰,董事,委派, 吕强,监事,委派, 石砥,董事,委派, 曾一平,董事,委派,陈研曚,监事会主席,选举, 陈志涛,董事,委派, 郭峰,董事,委派, 贺湘华,董事长,委派,是 [退出] 胡艳,监事,选举, 刘金兰,董事,委派, 吕强,监事,委派, 石砥,董事,委派, 唐群力,董事,委派, [退出] 王美花,董事,委派, [退出] 曾一平,董事,委派,2018-05-09
组织机构备案陈研曚,监事会主席,选举, 陈志涛,董事,委派, 范忠凯,董事长,选举,是 [新增] 方乐,董事,选举, [新增] 郭峰,董事,委派, 胡艳,监事,选举, 李丽娜,董事,选举, [新增] 刘金兰,董事,委派, 吕强,监事,委派, 石砥,董事,委派, 曾一平,董事,委派,陈研曚,监事会主席,选举, 陈志涛,董事,委派, 郭峰,董事,委派, 贺湘华,董事长,委派,是 [退出] 胡艳,监事,选举, 刘金兰,董事,委派, 吕强,监事,委派, 石砥,董事,委派, 唐群力,董事,委派, [退出] 王美花,董事,委派, [退出] 曾一平,董事,委派,2018-05-09
股东变更东莞勤上光电股份有限公司; 广东广晟光电科技有限公司; 广东省电子信息产业集团有限公司; 广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院); 深圳市洲明科技股份有限公司; 中国科学院半导体研究所;东莞勤上光电股份有限公司; 广东广晟光电科技有限公司; 广东省电子信息产业集团有限公司; 广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院); 深圳市洲明科技股份有限公司; 中国科学院半导体研究所;2016-07-25
换照换照换照(变更前)2016-07-25
财务负责人曾伟财务负责人(变更前)2016-07-25

广东省中科宏微半导体设备有限公司的组织架构

名字职务
贺湘华董事长
陈研曚监事会主席
王美花董事
曾一平董事
唐群力董事
陈志涛董事
刘金兰董事
石砥董事
郭峰董事
吕强监事
胡艳监事

广东省中科宏微半导体设备有限公司的注册商标

图片注册号商标名分类分类ID状态日期
12862148中科宏微科学仪器9商标注册申请完成2013-07-04
12862150MTM机械设备7商标注册申请完成2013-07-04
12862149HICRO机械设备7商标注册申请注册公告排版完成2013-07-04
12862143HICRO建筑修理37商标注册申请注册公告排版完成2013-07-04
12862142中科宏微教育娱乐41商标注册申请注册公告排版完成2013-07-04
12862151中科宏微机械设备7商标注册申请注册公告排版完成2013-07-04
12862146HICRO科学仪器9商标注册申请完成2013-07-04
12862140HICRO教育娱乐41商标注册申请注册公告排版完成2013-07-04
12862145中科宏微建筑修理37商标注册申请注册公告排版完成2013-07-04
12862147MTM科学仪器9商标注册申请等待驳回复审2013-07-04
12862141MTM教育娱乐41商标注册申请注册公告排版完成2013-07-04
12862144MTM建筑修理37商标无效2013-07-04

广东省中科宏微半导体设备有限公司的专利证书

CN105624648A发明公布2016-06-01薄膜生长腔室和薄膜生长装置对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制胡国新;肖蕴章;胡强;冉军学;何斌;黎天韵;朱正涛;钟山;蒋国文;王其忻
CN204945048U实用新型2016-01-06拉曼原位监控装置测量;测试蒋国文;胡国新;王其忻;胡强
CN105063575A发明公布2015-11-18衬底托盘、衬底定位方法及衬底定位系统对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制蒋国文;冉军学;王其忻;胡强
CN105926035A发明公布2016-09-07一种用于混晶化学气相外延的进气装置蒋国文;冉军学;何斌;黎天韵;胡国新;王其忻;胡强
CN101914762B发明授权2013-03-06一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制冉军学;胡国新;梁勇;王军喜;段瑞飞;曾一平;李晋闽
CN105803424A发明公布2016-07-27薄膜生长腔室和薄膜生长设备对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制胡国新;肖蕴章;冉军学;胡强;何斌;黎天韵;朱正涛;钟山;蒋国文;王其忻
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