成都士兰半导体制造有限公司,位于成都市金堂县成都—阿坝工业集中发展区,总投资30亿人民币,总占地525亩,总建筑面积30万平方米。一期预计2012年建成投产,2015年全面达产。成都士兰重点发展LED芯片制造、封装、高压集成电路芯片制造、功率模块封装四项业务,是杭州士兰微电子股份有限公司着力打造的西部LED半导体芯片制造基地。
“细微世界,博大空间”。
士兰秉承“诚信、忍耐、探索、热情”的企业文化,创造美好未来。
在士兰,每位员工都可享受:
1、宽带式的薪酬体系;
2、五险一金(五险:养老、医疗、失业、工伤、生育保险;一金:住房公积金);
3、大病补充保险;
4、免费住宿;
5、每月餐补;
6、带薪年休假;
7、温馨的节假日礼品或礼金;
8、团队建设专项费用。
公司位于成都市金堂县淮口镇的成阿工业园区内,工作地点也在这里!非诚勿投!!
联系方式
工商信息和基本资料
- 法人名称:
- 成都士兰半导体制造有限公司
- 简称:
- 士兰半导体
- 主要经营产品:
- 未提供
- 经营范围:
- 集成电路、半导体分立器件、发光半导体等半导体产品的设计、制造、销售(经向环保部门排污申报后方可经营);货物进出口。(法律、法规禁止经营的项目除外,法律、法规限制经营的项目取得许可后方可经营)。
- 营业执照号码:
- 91510121564470905W
- 发证机关:
- 金堂县市场监督管理局
- 法人类型:
- 其他有限责任公司
- 地区编码:
- 510121
- 组织机构代码:
- 56447090-5
- 核准日期:
- 2016-05-04
- 经营期限:
- 2030-11-17
- 经营状态:
- 存续
- 成立时间:
- 2010年11月18日
- 职员人数:
- 150人
- 注册资本:
- 55000 万元人民币 (万元)
- 所属行业:
- 制造业 » 金堂县制造业
- 所属城市黄页:
- 成都企业网 » 金堂县
- 顺企编码:
- 40007052
人才招聘
职位名称 | 月薪 | 学历要求 | 职位要求 | 发布日期 |
---|---|---|---|---|
标准化工程师 | 岗位职责
1、负责封装半成品/成品相关标... | 2022-02-20 | ||
FA工程师 | 岗位职责:
1、可靠性试验工作,试验设计... | 2022-02-17 | ||
过程质量工程师 客户质量工程师 | 岗位职责:
1.负责过程重大质量异常的处... | 2021-12-16 | ||
产品工程师 | 职责描述:
岗位职责:
1.新产品可行性... | 2021-10-28 | ||
切筋成型工艺工程师 | 岗位职责:
1.解决实际切筋成型工艺生产... | 2021-10-09 | ||
销售经理助理 | 0.7-1万/月 | 岗位职责:
1、负责老客户维护,提升客户... | 2021-09-10 | |
测试工程师 | 0.5-1万/月 | 岗位说明:从事半导体分立器件生产测试保障... | 2021-07-28 | |
水处理助理工程师 | 3.5-4.5千/月 | 本科以上 | 1、本科及以上学历;
2、应届大学毕业生... | 2021-07-15 |
质量持续改进工程师 | 5-8千/月 | 大专以上 | 岗位职责:
1、负责完善持续改进体系,运... | 2021-07-12 |
企业文宣 | 4-6千/月 | 本科以上 | 岗位职责:负责公司泛微、企业微信公众号等... | 2021-07-03 |
成都士兰半导体制造有限公司的股东
股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
---|---|---|
杭州士兰微电子股份有限公司 | 70% | 人民币84000.0万元 |
四川省集成电路和信息安全产业投资基金有限公司 | 26.67% | 人民币32000.0万元 |
阿坝州振兴产业发展股权投资基金合伙企业(有限合伙) | 3.33% | 人民币4000.0万元 |
成都士兰半导体制造有限公司的工商变更记录
变更项目 | 变更后 | 变更前 | 时间 |
---|---|---|---|
注册资本变更 | 120000万人民币( + 20% ) | 100000万人民币 | 2021-10-20 |
投资人变更 | 杭州士兰微电子股份有限公司 出资 84000( + 3.7037% )万人民币; 四川省集成电路和信息安全产业投资基金有限公司 出资 32000( + 113.33333% )万人民币; 阿坝州振兴产业发展股权投资基金合伙企业(有限合伙) 出资 4000万人民币; | 杭州士兰微电子股份有限公司 出资 81000万人民币; 四川省集成电路和信息安全产业投资基金有限公司 出资 15000万人民币; 阿坝州振兴产业发展股权投资基金合伙企业(有限合伙) 出资 4000万人民币; | 2021-10-20 |
市场主体类型变更 | 其他有限责任公司 | 有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) | 2020-11-10 |
投资人变更 | 杭州士兰微电子股份有限公司 出资 81000万人民币; 四川省集成电路和信息安全产业投资基金有限公司 出资 15000万人民币; [新增] 阿坝州振兴产业发展股权投资基金合伙企业(有限合伙) 出资 4000万人民币; [新增] | 杭州士兰微电子股份有限公司 出资 81000万人民币; | 2020-11-10 |
注册资本变更 | 100000万人民币( + 23.45679% ) | 81000万人民币 | 2020-11-10 |
地址变更 | 四川省成都市金堂县淮口街道成都-阿坝工业集中发展区士芯路9号 | 成都-阿坝工业集中发展区内 | 2020-11-10 |
投资人变更 | 杭州士兰微电子股份有限公司 出资 81000( + 15.71429% )万人民币; | 杭州士兰微电子股份有限公司 出资 70000万人民币; | 2020-08-12 |
注册资本变更 | 81000万人民币( + 15.71429% ) | 70000万人民币 | 2020-08-12 |
其他事项备案 | 70000 | 60000 | 2018-02-06 |
股东或股份发起人改变姓名或名称变更 | 杭州士兰微电子股份有限公司,货币; | 杭州士兰微电子股份有限公司; | 2018-02-06 |
成都士兰半导体制造有限公司的组织架构
名字 | 职务 |
---|---|
江忠永 | 监事 |
陈向东 | 执行董事 |
范伟宏 | 总经理 |
成都士兰半导体制造有限公司的专利证书
CN202917457U | 实用新型 | 2013-05-01 | 外延缺陷分析结构 | 基本电气元件 | 杨彦涛;赵仲镛;蒋敏;蒋墨染;谢波 |
CN104716044A | 发明公布 | 2015-06-17 | 半导体器件及其形成方法 | 基本电气元件 | 杨彦涛;陈文伟;李云飞;陶玉美;王伟 |
CN102983177A | 发明公布 | 2013-03-20 | 肖特基二极管及其制作方法 | 基本电气元件 | 刘宪成;梁勇;陈向东;方佼;李其鲁 |
CN203013739U | 实用新型 | 2013-06-19 | 肖特基二极管 | 基本电气元件 | 刘宪成;梁勇;陈向东;方佼;李其鲁 |
CN102931118B | 发明授权 | 2015-09-02 | 外延缺陷分析结构及制造方法和外延缺陷的分析方法 | 基本电气元件 | 杨彦涛;赵仲镛;蒋敏;蒋墨染;谢波 |
CN104835720A | 发明公布 | 2015-08-12 | 一种半导体结构及其形成方法 | 基本电气元件 | 杨彦涛;王平;邵凯;赵金波;王海涛;宋金伟 |
CN102983177B | 发明授权 | 2016-12-21 | 肖特基二极管及其制作方法 | 基本电气元件 | 刘宪成;梁勇;陈向东;方佼;李其鲁 |
CN104409349A | 发明公布 | 2015-03-11 | 沟槽器件的制作方法 | 基本电气元件 | 杨彦涛;杨富宝;赵金波;王珏;汤光洪 |
CN103035745B | 发明授权 | 2016-01-20 | 采用刻槽工艺形成的恒流二极管及其制造方法 | 基本电气元件 | 王英杰;徐敏杰;崔建 |
CN204516724U | 实用新型 | 2015-07-29 | 一种半导体结构 | 基本电气元件 | 杨彦涛;王平;邵凯;赵金波;王海涛;宋金伟 |
CN103050399A | 发明公布 | 2013-04-17 | 具有三层介质钝化结构的二极管及其制造方法 | 基本电气元件 | 王明辉;贾文庆;郭冲;王平 |
CN102931118A | 发明公布 | 2013-02-13 | 外延缺陷分析结构及制造方法和外延缺陷的分析方法 | 基本电气元件 | 杨彦涛;赵仲镛;蒋敏;蒋墨染;谢波 |
CN103035745A | 发明公布 | 2013-04-10 | 采用刻槽工艺形成的恒流二极管及其制造方法 | 基本电气元件 | 王英杰;徐敏杰;崔建 |
CN204289465U | 实用新型 | 2015-04-22 | 半导体器件 | 基本电气元件 | 杨彦涛;陈文伟;李云飞;陶玉美;王伟 |
CN203013738U | 实用新型 | 2013-06-19 | 采用刻槽工艺形成的恒流二极管 | 基本电气元件 | 王英杰;徐敏杰;崔建 |
CN204289395U | 实用新型 | 2015-04-22 | 一种半导体器件 | 基本电气元件 | 杨彦涛;赵金波;江宇雷;陈文伟;杨雪 |
CN104599972A | 发明公布 | 2015-05-06 | 一种半导体器件及其形成方法 | 基本电气元件 | 杨彦涛;赵金波;江宇雷;陈文伟;杨雪 |
CN202996812U | 实用新型 | 2013-06-12 | 具有三层介质钝化结构的二极管 | 基本电气元件 | 王明辉;贾文庆;郭冲;王平 |
CN103050399B | 发明授权 | 2015-11-25 | 具有三层介质钝化结构的二极管及其制造方法 | 基本电气元件 | 王明辉;贾文庆;郭冲;王平 |
CN104409348A | 发明公布 | 2015-03-11 | 沟槽器件的制作方法 | 基本电气元件 | 杨彦涛;闻永祥;江宇雷;罗永华 |
成都士兰半导体制造有限公司投资的公司
投资企业 | 法人代表 | 地址 | 出资比例 |
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成都集佳科技有限公司 | 范伟宏 | 四川省成都市金堂县淮口镇士芯路9号1栋1-3楼(成都—阿坝工业集中发展区内) | 100% |
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