云南鑫耀半导体材料有限公司,位于素以“春城”著称昆明,云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼,于2013年09月10日在昆明成立。公司资金充裕,注册资本9547万人民币,在李苏滨带领下,鑫耀半导体材料已经为客户提供了12年优质的服务,公司主要提供半导体材料销售;货物及技术进出口业务;半导体生产, 欢迎各界朋友莅临参观、指导和业务洽谈
联系方式
- 公司地址:
- 云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼
- 固定电话:
- 0871-65902869
- 经理:
- 李苏滨
- 电子邮件:
- ynzy@sino-ge.com
- 邮政编码:
- 650000
- 顺企®采购:
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其他联系方式
座机号码 | 0871-65902869 |
座机号码 | 0871-65936955 |
电子邮箱 | ynzy@sino-ge.com |
工商信息和基本资料
云南鑫耀半导体材料有限公司的股东
股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
---|---|---|
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 | 64.13% | 人民币8047.0万元 |
哈勃科技创业投资有限公司 | 23.91% | 人民币3000.0万元 |
惠峰 | 11.96% | 人民币1500.0万元 |
云南鑫耀半导体材料有限公司的工商变更记录
变更项目 | 变更后 | 变更前 | 时间 |
---|---|---|---|
股东或股份发起人改变姓名或名称变更 | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司; 惠峰; 哈勃科技创业投资有限公司; [名称变更] | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司; 惠峰; 哈勃科技投资有限公司; | 2022-07-21 |
高级管理人员备案 | 黄平 郭志彦 [新增] 陈飞宏 | 黄平 陈飞宏 高戟 [退出] | 2022-07-21 |
高级管理人员备案 | 黄平 陈飞宏 高戟 [新增] | 陈飞宏 黄平 丘钢 [退出] | 2021-06-29 |
投资人变更 | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 出资 8047( + 20.41% )万人民币; 惠峰 出资 1500万人民币; [新增] 哈勃科技投资有限公司 出资 3000万人民币; | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 出资 6683万人民币; 权以高 出资 1364万人民币; [退出] 朱蓉辉 出资 1500万人民币; [退出] 哈勃科技投资有限公司 出资 3000万人民币; | 2021-06-29 |
法定代表人变更 | 黄平 | 黄平 | 2021-01-21 |
高级管理人员备案 | 丘钢 [新增] 陈飞宏 [新增] 黄平 | 黄平 | 2021-01-21 |
投资人变更 | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 出资 6683万人民币; 朱蓉辉 出资 1500万人民币; 权以高 出资 1364万人民币; 哈勃科技投资有限公司 出资 3000万人民币; [新增] | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 出资 6683万人民币; 朱蓉辉 出资 1500万人民币; 权以高 出资 1364万人民币; | 2021-01-21 |
注册资本变更 | 12547万人民币( + 31.42348% ) | 9547万人民币 | 2021-01-21 |
高级管理人员备案 | 朱蓉辉 [新增] | 黄平 [退出] | 2019-10-21 |
经理备案 | 朱蓉辉 [新增] | 黄平 [退出] | 2019-10-21 |
云南鑫耀半导体材料有限公司的组织架构
名字 | 职务 |
---|---|
李苏滨 | 执行董事兼总经理 |
惠峰 | 监事 |
云南鑫耀半导体材料有限公司的专利证书
CN205688056U | 实用新型 | 2016-11-16 | VGF锗单晶生长炉支撑底座 | 晶体生长 | 肖祥江;董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 |
CN205993960U | 实用新型 | 2017-03-08 | 一种洁净柜 | 肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 | |
CN205917343U | 实用新型 | 2017-02-01 | 可拆分VGF单晶生长坩埚中环 | 晶体生长 | 柳廷龙;董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 |
CN105133019A | 发明公布 | 2015-12-09 | 多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法 | 晶体生长 | 卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞;祝永成 |
CN205915428U | 实用新型 | 2017-02-01 | 圆形石英棉切割工具 | 手动切割工具;切割;切断 | 董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 |
CN105154978A | 发明公布 | 2015-12-16 | 砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法 | 晶体生长 | 卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞 |
CN105937052A | 发明公布 | 2016-09-14 | 去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法 | 晶体生长 | 何杰;肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 |
CN205765548U | 实用新型 | 2016-12-07 | 一种改善锗单晶片总厚度变化的装置 | 磨削;抛光 | 李雪峰;肖祥江;吕春富;田东;张李根;董桂杰;段明龙 |
CN105401214A | 发明公布 | 2016-03-16 | 一种锗熔体浮渣清除方法 | 晶体生长 | 李宝学;包文东;赵飞宇;罗玉萍 |
CN105951170A | 发明公布 | 2016-09-21 | 锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法 | 晶体生长 | 董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 |
CN106057645A | 发明公布 | 2016-10-26 | 锗单晶抛光片的清洗方法 | 基本电气元件 | 肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;侯振海;囤国超;田东 |
CN205723474U | 实用新型 | 2016-11-23 | 一种洁净室用晶片清洗工作台 | 基本电气元件 | 肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 |
CN105887195A | 发明公布 | 2016-08-24 | 用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法 | 晶体生长 | 肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 |
CN205774917U | 实用新型 | 2016-12-07 | 锗单晶生长炉 | 晶体生长 | 董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 |