云南鑫耀半导体材料有限公司

公司简介

云南鑫耀半导体材料有限公司,位于素以“春城”著称昆明,云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼,于2013年09月10日在昆明成立。公司资金充裕,注册资本9547万人民币,在李苏滨带领下,鑫耀半导体材料已经为客户提供了12年优质的服务,公司主要提供半导体材料销售;货物及技术进出口业务;半导体生产, 欢迎各界朋友莅临参观、指导和业务洽谈

联系方式

公司地址:
云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼
固定电话:
0871-65902869
经理:
李苏滨
电子邮件:
ynzy@sino-ge.com
邮政编码:
650000
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其他联系方式

座机号码0871-65902869
座机号码0871-65936955
电子邮箱ynzy@sino-ge.com

工商信息和基本资料

法人名称:
云南鑫耀半导体材料有限公司
简称:
鑫耀半导体材料
主要经营产品:
未提供
经营范围:
半导体材料销售;货物及技术进出口业务;半导体生产(限分公司经营)(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
营业执照号码:
530100100354474
发证机关:
昆明市市场监督管理局
法人类型:
有限责任公司(自然人投资或控股)
经营期限:
永久
经营状态:
存续
成立时间:
2013年09月10日
注册资本:
9547万人民币 (万元)
所属行业:
新材料技术推广服务
所属城市黄页:
昆明企业网
顺企编码:
80830526

云南鑫耀半导体材料有限公司的股东

股东名字出资比例出资额
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司64.13%人民币8047.0万元
哈勃科技创业投资有限公司23.91%人民币3000.0万元
惠峰11.96%人民币1500.0万元

云南鑫耀半导体材料有限公司的工商变更记录

变更项目变更后变更前时间
股东或股份发起人改变姓名或名称变更云南临沧鑫圆锗业股份有限公司; 惠峰; 哈勃科技创业投资有限公司; [名称变更]云南临沧鑫圆锗业股份有限公司; 惠峰; 哈勃科技投资有限公司;2022-07-21
高级管理人员备案黄平 郭志彦 [新增] 陈飞宏黄平 陈飞宏 高戟 [退出]2022-07-21
高级管理人员备案黄平 陈飞宏 高戟 [新增]陈飞宏 黄平 丘钢 [退出]2021-06-29
投资人变更云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 出资 8047( + 20.41% )万人民币; 惠峰 出资 1500万人民币; [新增] 哈勃科技投资有限公司 出资 3000万人民币;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 出资 6683万人民币; 权以高 出资 1364万人民币; [退出] 朱蓉辉 出资 1500万人民币; [退出] 哈勃科技投资有限公司 出资 3000万人民币;2021-06-29
法定代表人变更黄平黄平2021-01-21
高级管理人员备案丘钢 [新增] 陈飞宏 [新增] 黄平黄平2021-01-21
投资人变更云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 出资 6683万人民币; 朱蓉辉 出资 1500万人民币; 权以高 出资 1364万人民币; 哈勃科技投资有限公司 出资 3000万人民币; [新增]云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 出资 6683万人民币; 朱蓉辉 出资 1500万人民币; 权以高 出资 1364万人民币;2021-01-21
注册资本变更12547万人民币( + 31.42348% )9547万人民币2021-01-21
高级管理人员备案朱蓉辉 [新增]黄平 [退出]2019-10-21
经理备案朱蓉辉 [新增]黄平 [退出]2019-10-21

云南鑫耀半导体材料有限公司的组织架构

名字职务
李苏滨执行董事兼总经理
惠峰监事

云南鑫耀半导体材料有限公司的专利证书

CN205688056U实用新型2016-11-16VGF锗单晶生长炉支撑底座晶体生长肖祥江;董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝
CN205993960U实用新型2017-03-08一种洁净柜肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东
CN205917343U实用新型2017-02-01可拆分VGF单晶生长坩埚中环晶体生长柳廷龙;董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝
CN105133019A发明公布2015-12-09多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法晶体生长卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞;祝永成
CN205915428U实用新型2017-02-01圆形石英棉切割工具手动切割工具;切割;切断董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝
CN105154978A发明公布2015-12-16砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法晶体生长卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞
CN105937052A发明公布2016-09-14去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法晶体生长何杰;肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东
CN205765548U实用新型2016-12-07一种改善锗单晶片总厚度变化的装置磨削;抛光李雪峰;肖祥江;吕春富;田东;张李根;董桂杰;段明龙
CN105401214A发明公布2016-03-16一种锗熔体浮渣清除方法晶体生长李宝学;包文东;赵飞宇;罗玉萍
CN105951170A发明公布2016-09-21锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法晶体生长董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝
CN106057645A发明公布2016-10-26锗单晶抛光片的清洗方法基本电气元件肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;侯振海;囤国超;田东
CN205723474U实用新型2016-11-23一种洁净室用晶片清洗工作台基本电气元件肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东
CN105887195A发明公布2016-08-24用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法晶体生长肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东
CN205774917U实用新型2016-12-07锗单晶生长炉晶体生长董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝
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