上海富华微电子有限公司，位于中国国际经济、金融、贸易、航运中心，魔都上海，上海市浦东新区孙环路1085号3幢103室，于2001年06月05日在上海成立。公司资金充裕，注册资本600(万元)，在邵光平带领下，富华微电子已经为客户提供了24年优质的服务，公司主要提供微电子技术研究，微电子产品的研究，设计，生产，销售及相关技术咨询服务，电子产品销售， 欢迎各界朋友莅临参观、指导和业务洽谈
联系方式
- 公司地址：
- 上海市浦东新区孙环路1085号3幢103室
- 固定电话：
- (021)58873646
- 经理：
- 邵光平
- 邮政编码：
- 201203
- 顺企®采购：
- 请卖家联系我在线采购产品
工商信息和基本资料
- 法人名称：
- 上海富华微电子有限公司
- 简称：
- 富华微电子
- 主要经营产品：
- 微电子技术研究 , 微电子产品的研究 , 设计 , 生产 , 销售及相关技术咨询服务 , 电子产品销售（涉及许可经营的凭许可证经营）
- 经营范围：
- 微电子技术研究，微电子产品的研究、设计、生产、销售及相关技术咨询服务，电子产品销售（涉及许可经营的凭许可证经营）。
- 营业执照号码：
- 310115000618376
- 发证机关：
- 浦东新区市场监管局
- 法人类型：
- 有限责任公司
- 经营期限：
- 永久
- 经营状态：
- 已注销
- 成立时间：
- 2001年06月05日
- 注册资本：
- 600(万元) (万元)
- 所属行业：
- 集成电路厂 » 浦东新区集成电路厂
- 所属城市黄页：
- 上海企业网 » 浦东新区 » 浦东新区张江镇
- 顺企编码：
- 17656463
上海富华微电子有限公司的股东
| 股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
|---|---|---|
| 上海杰辰企业发展有限公司 | 61.6667% | 370 |
| 邵光平 | 20.0% | 120 |
| 华人创新集团上海科技有限公司 | 18.3333% | 110 |
上海富华微电子有限公司的工商变更记录
| 变更项目 | 变更后 | 变更前 | 时间 |
|---|---|---|---|
| 清算组成员备案 | 负责人：邵光平; 成员：赵靓; 成员：顾莲凤; | 无 | 2013-01-04 |
| 组织机构变更 | ~ | ~ | 2007-11-12 |
| 住所变更 | 上海市浦东新区孙环路1085号3幢103室 | 上海市张江高科技园区郭守敬路498号浦东软件园14幢22301－802座 | 2007-11-12 |
| 组织机构变更 | ~ | ~ | 2007-08-22 |
| 高级管理人员备案 | 郑婷艺;邵光平 | 王新;汤艳龙;杨忠武;刘广海;张利学;郭丽宏;王新 | 2006-12-28 |
| 投资人变更 | 邵光平 | 王新 | 2006-12-28 |
| 董事备案 | 郑婷艺;邵光平 | 王新;汤艳龙;杨忠武;刘广海;张利学;郭丽宏;王新 | 2006-12-28 |
| 投资人变更 | 上海华微科技有限公司 出资 110万人民币;上海杰宸电子科技发展有限公司 出资 370万人民币;邵光平 出资 120万人民币; | 吉林华微电子股份有限公司 出资 480万人民币;王新 出资 120万人民币; | 2006-12-28 |
| 监事备案 | 郑婷艺;邵光平 | 王新;汤艳龙;杨忠武;刘广海;张利学;郭丽宏;王新 | 2006-12-28 |
| 组织机构变更 | ~ | ~ | 2006-11-06 |
上海富华微电子有限公司的组织架构
| 名字 | 职务 |
|---|---|
| 邵光平 | 执行董事 |
| 郑婷艺 | 监事 |
上海富华微电子有限公司的专利证书
| CN101017850A | 发明公布 | 2007-08-15 | 采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺 | 基本电气元件 | 邵光平 |
| CN101465290B | 发明授权 | 2010-11-17 | 一种半导体功率器件用衬底硅片及其制造工艺 | 基本电气元件 | 王新;张华群 |
| CN201017889Y | 实用新型 | 2008-02-06 | 采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件 | 基本电气元件 | 邵光平 |
| CN201332099Y | 实用新型 | 2009-10-21 | 一种半导体功率器件用衬底硅片 | 基本电气元件 | 邵光平 |
| CN201017890Y | 实用新型 | 2008-02-06 | 一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件 | 基本电气元件 | 邵光平 |
| CN101017849A | 发明公布 | 2007-08-15 | 一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺 | 基本电气元件 | 邵光平 |
| CN100477270C | 发明授权 | 2009-04-08 | 采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺 | 基本电气元件 | 邵光平 |