深圳方正微电子有限公司于2003年12月由方正集团联合国内外其它投资者共同投资成立，坐落于深圳市重点规划建设的高新技术产业带——环境优美的龙岗区宝龙工业城，注册资本5900万美元。主要从事集成电路芯片的生产、代加工和销售，是一家专业的半导体芯片制造公司。公司成立后得到了深圳市政府和龙岗区政府的大力支持与帮助，自2004年起连续四年被列入“深圳市重大建设项目”，并荣获“2006年度重大项目建设工作先进单位”；2007年公司被列入“大企业直通车”名录；2008年获得“全国五一劳动奖状”、“全国工人先锋号”等荣誉；2010年荣膺“高新技术企业”称号；2013年荣膺“深圳知名品牌”、“中国Zui具成长性半导体企业”称号；第十四届（2015）深圳企业创新记录；2016年深圳知名品牌荣誉证书，国家高新技术企业证书（2016）。正在快速发展的深圳方正微电子有限公司急需有志中国半导体事业的人才加盟，现面向校园诚招以下人员，希望的你能与FMI共创事业！
联系方式
- 公司地址：
- 深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园
- 固定电话：
- 0755-66823809
- 经理：
- 魏新
- 电子邮件：
- marui@founderic.com
- 邮政编码：
- 518116
- 顺企®采购：
- 请卖家联系我在线采购产品
其他联系方式
| 座机号码 | 0755-66823888 |
| 座机号码 | 0755-89668730 |
| 电子邮箱 | marui@founderic.com |
| 电子邮箱 | fzwdz@founderic.com |
| 座机号码 | 0755-66823809 |
工商信息和基本资料
- 法人名称：
- 深圳方正微电子有限公司
- 简称：
- 方正微电子
- 主要经营产品：
- 研究开发集成电路芯片及相关产品 , 加工 , 生产经营线宽0.35微米及以下大规模集成电路芯片 , 线宽 , 0.35微米以上集成电路芯片 , 产品的售后技术服务和应用开发
- 经营范围：
- 研究开发集成电路芯片及相关产品；加工、生产经营线宽0.35微米及以下大规模集成电路芯片、线宽0.35微米以上集成电路芯片(包括SiGe集成电路芯片和Si集成电路芯片)；产品的售后技术服务和应用开发。从事货物、技术进出口（不含分销、国家专营专控商品）。
- 营业执照号码：
- 440301501125018
- 发证机关：
- 深圳市市场监督管理局
- 法人类型：
- 有限责任公司（法人独资）
- 核准日期：
- 2016-04-29
- 经营期限：
- 2053-12-26
- 经营状态：
- 存续
- 成立时间：
- 2003年12月26日
- 注册资本：
- 1500 (万元)
- 公司官网：
- http://www.founderic
- 所属行业：
- 集成电路厂 » 龙岗区集成电路厂
- 所属城市黄页：
- 深圳企业网 » 龙岗区 » 龙岗区龙岗
- 顺企编码：
- 10714384
人才招聘
| 职位名称 | 月薪 | 学历要求 | 职位要求 | 发布日期 |
|---|---|---|---|---|
| 品质检测员 | 4千-6千 | 中专 | 岗位职责：1.负责SEM、EDS、定点切... | 2019-08-29 |
| 大专/本科应届生招聘 | 4千-8千 | 大专 | 从事半导体前段产品工艺/设备维护/安全... | 2019-10-31 |
| 研发/产品工程师 | 4千-8千 | 本科 | 工作内容：1、负责CMOS/BiCMOS... | 2019-07-15 |
| 设备技术员 | 4.5千-6千 | 大专 | 工作职责： 1、自动化设备日常点检，故障... | 2019-07-15 |
| 安全经理 | 6000-10000 | 大专 | 岗位职责：
1、拟定公司安全健康环境政... | 2018-03-05 |
| 半导体工艺工程师 | 4000-8000 | 大专 | 岗位要求： 1）正规统招本科学历，微电子... | 2018-03-03 |
| 设备工程师 | 4000-8000 | 大专 | 任职资格： 1、全日制统招大学本科学历，... | 2018-03-03 |
深圳方正微电子有限公司的股东
| 股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
|---|---|---|
| 深圳市深超科技投资有限公司 | 96.61% | 人民币5700万元 |
| 株式会社东芝 | 3.39% | 人民币200万元 |
深圳方正微电子有限公司的工商变更记录
| 变更项目 | 变更后 | 变更前 | 时间 |
|---|---|---|---|
| 外资转内资 | 公司 | 外资公司 | 2022-07-19 |
| 投资人 | 深圳市深超科技投资有限公司 44341.2（万元）100% | 株式会社东芝 200（万元）3.3898% 深圳市深超科技投资有限公司 5700（万元）96.6102% | 2022-07-19 |
| 成员 | 李健（监事） | - | 2022-07-19 |
| 注册资本 | 44341.2 人民币（ + 651.54576% ） | 5900 美元 | 2022-07-19 |
| 市场主体类型 | 有限责任公司（法人独资） | 有限责任公司（中外合资） | 2022-07-19 |
| 章程或章程修正案通过日期 | 2022-05-15 | 2021-12-22 | 2022-07-19 |
| 其他董事信息 | 李敏文（董事）, 杜智勇（董事）, 吴伟涛（董事） | 杜智勇（董事）, 千新国（副董事长）, [退出] 吴伟涛（董事）, 李敏文（董事） | 2021-12-31 |
| 成员 | 李敏文（董事）,杜智勇（董事）,吴伟涛（董事） | 杜智勇（董事）,千新国（副董事长）,吴伟涛（董事）,李敏文（董事） | 2021-12-31 |
| 股权和公证书 | - | - | 2021-12-31 |
| 章程或章程修正案通过日期 | - | - | 2021-12-31 |
深圳方正微电子有限公司的组织架构
| 名字 | 职务 |
|---|---|
| 肖建国 | 董事长 |
| 王贺光 | 副董事长 |
| 杜智勇 | 董事 |
| 施华 | 董事 |
| 孙敏 | 董事 |
深圳方正微电子有限公司的行政处罚
| 深龙住建罚〔2012〕18号 |
深圳方正微电子有限公司的注册商标
| 图片 | 注册号 | 商标名 | 分类 | 分类ID | 状态 | 日期 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 4032891 | FMI | 科学仪器 | 9 | 商标续展完成 | 2004-04-23 |
 | 3988133 | 图形 | 科学仪器 | 9 | 商标已注册 | 2004-03-30 |
深圳方正微电子有限公司的专利证书
| CN105448711A | 发明公布 | 2016-03-30 | 恒流二极管的制造方法和恒流二极管 | 基本电气元件 | 黄宇萍;赵圣哲 |
| CN101403104A | 发明公布 | 2009-04-08 | 注入气体的装置及利用该装置生成原位掺杂多晶硅方法 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制 | 徐威;刘其金 |
| CN103839807A | 发明公布 | 2014-06-04 | 一种沟槽DMOS管的制造方法及一种沟槽DMOS管 | 基本电气元件 | 崔金洪;张枫;李天贺 |
| CN103811421B | 发明授权 | 2016-12-21 | 一种形成氧化层的方法 | 基本电气元件 | 陈金园 |
| CN101383269A | 发明公布 | 2009-03-11 | 一种监控片的重复利用方法 | 基本电气元件 | 江瑞星;王焜;李熙;黄茹 |
| CN105441887A | 发明公布 | 2016-03-30 | 磁控溅射装置 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制 | 肖士悦;史鹏 |
| CN104835803A | 发明公布 | 2015-08-12 | 集成电路板、集成电路金属层的测试装置及方法 | 基本电气元件 | 潘光燃;文燕;王焜;石金成;高振杰 |
| CN102054667B | 发明授权 | 2012-11-07 | 应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法 | 马万里;赵文魁 | |
| CN106601806A | 发明公布 | 2017-04-26 | 一种半导体器件及其制作方法 | 基本电气元件 | 刘美华;陈建国;林信南 |
| CN103871836A | 发明公布 | 2014-06-18 | 一种处理半导体芯片的方法 | 基本电气元件 | 陈建国;贺冠中;李天贺;李昆乐 |
| CN205810524U | 实用新型 | 2016-12-14 | 变压器散热装置 | 基本电气元件 | 宁治国 |
| CN103426734A | 发明公布 | 2013-12-04 | 离子注入方法及设备、场效应管制造方法及场效应管 | 基本电气元件 | 马万里 |
| CN106297477A | 发明公布 | 2017-01-04 | 一种生成数字化字帖的方法及装置 | 教育；密码术；显示；广告；印鉴 | 王玉欣 |
| CN106601791A | 发明公布 | 2017-04-26 | 一种金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管及其制作方法 | 基本电气元件 | 刘美华;陈建国;林信南 |
| CN104810302A | 发明公布 | 2015-07-29 | 一种监控晶圆及其制备方法 | 基本电气元件 | 张彦平 |
| CN104465347A | 发明公布 | 2015-03-25 | 多晶硅表面处理方法及系统 | 基本电气元件 | 闻正锋;乐双申;马万里;赵文魁 |
| CN106298479A | 发明公布 | 2017-01-04 | 一种功率器件的结终端扩展结构及其制造方法 | 基本电气元件 | 李理;马万里;赵圣哲 |
| CN104681444A | 发明公布 | 2015-06-03 | 一种提高沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法 | 基本电气元件 | 赵圣哲 |
| CN106298653A | 发明公布 | 2017-01-04 | 双向瞬态电压抑制器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 李理;马万里;赵圣哲 |
| CN103137544B | 发明授权 | 2015-11-11 | 一种半导体芯片结构和芯片中金属熔丝的制作方法 | 基本电气元件 | 马万里 |
深圳方正微电子有限公司的法律诉讼：
| 文书名称 | 日期 | 编号 |
| 钟玲与深圳方正微电子有限公司案外人执行异议之诉二审民事判决书 | 2015-06-04 | （2014）深中法商终字第2536号 |
| 钟玲与深圳方正微电子有限公司案外人执行异议之诉二审民事判决书 | 2015-06-04 | （2014）深中法商终字第2536号 |
| 钟玲与深圳方正微电子有限公司案外人执行异议之诉二审民事判决书 | 2015-06-04 | （2014）深中法商终字第2536号 |
| 深圳方正微电子有限公司与深圳市中洋田电子技术股份有限公司买卖 | 2014-08-07 | （2013）深福法民二初字第2648号 |
| 王子华与深圳方正微电子有限公司劳动合同纠纷申请再审民事裁定书 | 2014-06-30 | （2014）粤高法民申字第860号 |
| 深圳方正微电子有限公司买卖合同纠纷执行案裁定书 | 2014-08-18 | （2014）深福法执字第5501号 |
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