深圳深爱半导体股份有限公司logo

深圳深爱半导体股份有限公司

公司简介


深圳深爱半导体股份有限公司成立于1988年,是由深圳市赛格集团有限公司及赛格(香港)有限公司投资兴建的专业半导体功率器件芯片及产品的生产企业,是深圳市的"先进技术企业"、"高新技术企业"。   深爱半导体股份有限公司作为国内分立器件行业的主要企业,于一九九七年全面实施了国家经贸委重点项目--大功率晶体管生产线技术改造(双加工程)工程,全线开通大功率晶体管生产线。目前公司具有4"、5"功率半导体芯片规模生产线,具备TO-92、TO-126、TO-220等封装形式的各类功率半导体器件的生产规模。公司主要生产BUL6800系列及MJE13000系列功率晶体管(应用于绿色节能节能照明设备、开关电源等领域)、肖特基二极管、可控硅、变容二极管和MOSFET系列功率晶体管等半导体功率器件产品。目前公司用于节能灯、电子镇流器、电子变压器等领域的大功率晶体管产销量在国内已,逐步进入国际市场。深爱公司致力研制的D系列抗饱和节能灯用功率晶体管推动中国的节能灯产业更上一层楼。深爱公司自主研发的SIF系列MOSFET功率晶体管产品将会为中国的MOSFET产品市场注入新的动力。   深爱半导体股份有限公司具有较强的技术开发能力。近年来,在吸收、消化引进技术的基础上,不断创新,深爱公司采用三重扩散SIPOS钝化高压平面工艺稳定进行高压双极型器件规模化生产的工艺,荣获深圳市科技进步奖。公司严格按照生产,产品经深圳市 电子检测中心等单位检测,产品各项参数指标达到国内外同类产品的先进水平,曾获"广东省新产品"奖;2001年获评为深圳市300家Zui具成长性企业;2002年获授予中国深圳Zui具竞争力企业;1998年通过ISO9000质量体系认证。2005年通过ISO14001环境管理体系认证;2007年通过深圳市企业技术中心认定;2008年获授予“深圳市自主创新行业龙头企业”;2009年通过"高新技术企业"认定。   民族半导体产业是中国大力发展半导体产业的宗旨,深爱公司以发展民族半导体产业为己任,独立自主,依靠自己的力量,不断吸收消化国外的先进技术,研制生产具有独立知识产权的产品同洋产品争市场,在业界具有颇高的知名度,产品在国内绿色照明领域具有较高的品牌效应。本着发展民族半导体产业的宗旨,深爱公司抓住中国大力发展半导体产业的机遇,利用自身独具的行业和技术有利条件,进行POWERMOS芯片制造生产线的建设,在深圳高新技术产业带宝龙工业城, 建成占地10万平方米的深爱半导体生产园区,已经形成了CMOS-IC芯片制造工艺平台与MOSFET功率器件制造线,她将会发展成为深圳市半导体芯片研试、制造生产基地,为中国的半导体事业作出贡献。

联系方式

公司地址:
广东 深圳市龙岗区 深圳市宝龙工业区宝龙2路2号
固定电话:
(0755)
销售工程师:
剡丽娜
电子邮件:
sisemi@sisemi.com.cn
邮政编码:
518116
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其他联系方式

座机号码0755-84539468
电子邮箱sisemi@sisemi.com.cn
电子邮箱610987831@QQ.com
电子邮箱15986716316@163.com

工商信息和基本资料

法人名称:
深圳深爱半导体股份有限公司
简称:
深爱半导体
主要经营产品:
三极管 , 13001 , 13003 , 13005 , 13007 , 13009 , BUL6822 , 13003BR , BLD122D , BLD128D , L系列低压三极管 , MOSFET , 系列 , 4N60 , 2N60 , 肖特基二极管
经营范围:
^生产、销售功率半导体器件(含电力电子器件)、集成电路及其有关的应用产品和整机产品;经营进出口业务(法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营)
营业执照号码:
91440300618831447R
发证机关:
龙岗局
法人类型:
股份有限公司(非上市)
地区编码:
440300
组织机构代码:
61883144-7
核准日期:
2016-03-30
经营期限:
永久
经营状态:
存续
成立时间:
1988年01月01日
职员人数:
1000人
注册资本:
19900万元人民币 (万元)
公司官网:
http://www.sisemi.co
所属行业:
开关三极管 » 龙岗区开关三极管
所属城市黄页:
深圳企业网 » 龙岗区 » 龙岗区龙岗
顺企编码:
20285445

深圳深爱半导体股份有限公司的股东

股东名字出资比例出资额
深圳市赛格集团有限公司61.13%人民币15721.0万元
深圳市鲲鹏股权投资有限公司22.62%人民币5817.24万元
深圳市循杰投资股份有限公司11.61%人民币2985.0万元
深圳市资本运营集团有限公司4.64%人民币1194.0万元

深圳深爱半导体股份有限公司的工商变更记录

变更项目变更后变更前时间
监事信息徐腊平(董事), 胡子麟(监事), 寻培珏(董事), 郑凤敏(职工监事), 汪冠丞(董事), 徐铁铮(董事), 严冬霞(董事), [新增] 林信南(董事), 严琦(监事会主席) [新增]徐铁铮(董事), 林信南(董事), 郑凤敏(职工监事), 寻培珏(董事), 汪小平(董事), [退出] 厉策(监事会主席), [退出] 汪冠丞(董事), 胡子麟(监事), 徐腊平(董事)2022-09-27
其他董事信息徐腊平(董事), 胡子麟(监事), 寻培珏(董事), 郑凤敏(职工监事), 汪冠丞(董事), 徐铁铮(董事), 严冬霞(董事), [新增] 林信南(董事), 严琦(监事会主席) [新增]徐铁铮(董事), 林信南(董事), 郑凤敏(职工监事), 寻培珏(董事), 汪小平(董事), [退出] 厉策(监事会主席), [退出] 汪冠丞(董事), 胡子麟(监事), 徐腊平(董事)2022-09-27
章程或章程修正案通过日期2022-06-152020-05-202022-09-27
成员徐腊平(董事),胡子麟(监事),寻培珏(董事),郑凤敏(职工监事),汪冠丞(董事),徐铁铮(董事),严冬霞(董事),林信南(董事),严琦(监事会主席)徐铁铮(董事),林信南(董事),郑凤敏(职工监事),寻培珏(董事),汪小平(董事),厉策(监事会主席),汪冠丞(董事),胡子麟(监事),徐腊平(董事)2022-09-27
负责人方建宏厉策2021-05-12
成员徐腊平(董事),徐铁铮(董事),汪冠丞(董事),郑凤敏(职工监事),方建宏(董事长),寻培珏(董事),汪小平(董事),胡子麟(监事),林信南(董事),厉策(监事会主席)朱龙清(监事),汪冠丞(董事),厉策(董事长),陈志和(董事),李甜(职工监事),宋萍萍(董事),汪小平(董事),徐腊平(董事),徐铁铮(董事),赵晓建(监事会主席)2021-05-12
其他董事信息徐腊平(董事), 徐铁铮(董事), 汪冠丞(董事), 郑凤敏(职工监事), [新增] 方建宏(董事长), [新增] 寻培珏(董事), [新增] 汪小平(董事), 胡子麟(监事), [新增] 林信南(董事), [新增] 厉策(监事会主席)朱龙清(监事), [退出] 汪冠丞(董事), 厉策(董事长), 陈志和(董事), [退出] 李甜(职工监事), [退出] 宋萍萍(董事), [退出] 汪小平(董事), 徐腊平(董事), 徐铁铮(董事), 赵晓建(监事会主席) [退出]2021-05-12
监事信息徐腊平(董事), 徐铁铮(董事), 汪冠丞(董事), 郑凤敏(职工监事), [新增] 方建宏(董事长), [新增] 寻培珏(董事), [新增] 汪小平(董事), 胡子麟(监事), [新增] 林信南(董事), [新增] 厉策(监事会主席)朱龙清(监事), [退出] 汪冠丞(董事), 厉策(董事长), 陈志和(董事), [退出] 李甜(职工监事), [退出] 宋萍萍(董事), [退出] 汪小平(董事), 徐腊平(董事), 徐铁铮(董事), 赵晓建(监事会主席) [退出]2021-05-12
成员汪冠丞(董事),徐铁铮(董事),徐腊平(董事),宋萍萍(董事),陈志和(董事),汪小平(董事)陈志和(董事),李越(董事),徐铁铮(董事),宋萍萍(董事),汪冠丞(董事),徐腊平(董事)2021-03-22
其他董事信息汪冠丞(董事), 徐铁铮(董事), 徐腊平(董事), 宋萍萍(董事), 陈志和(董事), 汪小平(董事) [新增]陈志和(董事), 李越(董事), [退出] 徐铁铮(董事), 宋萍萍(董事), 汪冠丞(董事), 徐腊平(董事)2021-03-22

深圳深爱半导体股份有限公司的组织架构

名字职务
刘波监事
肖春林监事
张光柳监事
孙盛典董事长
唐崇银董事
王嘉全董事
杨小强董事
严冬霞董事
李斌董事
张波董事
何欣纲董事
寻培珏董事
寻培珏总经理

深圳深爱半导体股份有限公司的注册商标

图片注册号商标名分类分类ID状态日期
13286348SI灯具空调11商标注册申请完成2013-09-25
3202501深爱科学仪器9商标续展完成2002-06-07
840540SI科学仪器9商标续展完成1994-06-16
840619S科学仪器9商标续展中1994-06-16

深圳深爱半导体股份有限公司的专利证书

CN202090051U实用新型2011-12-28靶材和内磁极对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制方雪冰
CN101901804B发明授权2013-03-20VDMOS器件及其制作方法基本电气元件刘宗贺;黄益中;罗添耀;陈家生;王磊;康鹏飞;王定宁;张海涛;罗鑫;陈奔;王晓杰;吴建清
CN104157728A发明公布2014-11-19硅片扩散处理方法及太阳能电池片的制造方法基本电气元件张朝坤
CN202094079U实用新型2011-12-28离子源弧室基本电气元件林义鹏;武大柱;周长银
CN202977409U实用新型2013-06-05防水引线框架基本电气元件吕劲锋
CN102423872A发明公布2012-04-25硅片的抛光方法胡新东
CN203150529U实用新型2013-08-21硅舟基本电气元件张朝坤
CN105185829A发明公布2015-12-23功率晶体管及其制备方法基本电气元件李学会
CN202290627U实用新型2012-07-04抛光盘清洗装置清洁裴新;王友旺
CN105140273A发明公布2015-12-09一种半导体器件的栅极结构及其制造方法基本电气元件李学会
CN104820178A发明公布2015-08-05筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法测量;测试谢文华
CN105185830A发明公布2015-12-23功率晶体管及其结终端结构基本电气元件李学会
CN104157728B发明授权2016-11-23硅片扩散处理方法及太阳能电池片的制造方法基本电气元件张朝坤
CN102528219A发明公布2012-07-04热电偶焊接装置及其焊接方法机床;不包含在其他类目中的金属加工李向春
CN106531781A发明公布2017-03-22半导体器件的终端结构基本电气元件李杰;魏国栋
CN203759064U实用新型2014-08-06探针盒测量;测试余廷义;路磊;周超
CN202087482U实用新型2011-12-28匀胶机的滴胶结构一般喷射或雾化;对表面涂覆液体或其他流体的一般方法王友旺;林盛浩;胡华;肖雁行;刘宝亮
CN102489464B发明授权2014-05-21匀胶清洗装置及匀胶清洗方法王友旺;林盛浩;裴新;胡华
CN203387482U实用新型2014-01-08触点开关输出电路基本电子电路余廷义
CN103050395A发明公布2013-04-17半导体器件场氧化层的腐蚀方法基本电气元件王民涛

深圳深爱半导体股份有限公司的法律诉讼:

文书名称日期编号
深圳深爱半导体股份有限公司与广州浩永虹照明有限公司买卖合同纠纷2016执2257执行裁定书2016-08-25 (2016)粤0115执2257号
深圳深爱半导体股份有限公司与中电科技德清华莹电子有限公司买卖合同纠纷一审民事裁定书2016-07-26 (2016)浙0521民初2822号
深圳深爱半导体股份有限公司与安徽润诚机电有限公司买卖合同纠纷民事诉讼保全裁定书2015-08-13 (2015)天民二初字第00604-1号
深圳深爱半导体股份有限公司与安徽润诚机电有限公司买卖合同纠纷民事诉讼保全裁定书2015-07-24 (2015)天民二初字第00604号
周颖宇、深圳深爱半导体股份有限公司劳动争议再审审查与审判监督民事裁定书2016-12-21 (2016)粤民申6958号
张春学与深圳深爱半导体股份有限公司司法确认民事裁定书2016-02-25 (2016)粤0307民特第277号
周颖宇与深圳深爱半导体股份有限公司、深圳深爱半导体股份有限公2015-12-18 (2015)深中法劳终字第4918号
周颖宇与深圳深爱半导体股份有限公司、深圳深爱半导体股份有限公2016-11-28 (2016)粤03民终11181号
深圳深爱半导体股份有限公司与杭州泓洛科技有限公司买卖合同纠纷2016-02-24 (2015)杭西商初字第2259号

深圳深爱半导体股份有限公司的分公司

分公司名称地址成立时间
深圳深爱半导体股份有限公司龙岗分厂深圳市龙岗区宝龙工业城2003-08-21 00:00:00.000
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