本公司同河北工业大学微电子材料研究所紧密结合,有一支主要由博士生、硕士生组成的高水平的技术与管理团队。公司有极强的创造能力,至今已经申报31项国家发明专利和4项国际发明专利,已成为华苑高新技术产业园区发明专利重点企业。研究所承担博士、硕士人才培养,并承担产品与技术创新的研究开发任务,企业需要的新技术新产品,由所研究开发,企业承担新产品的产业化、商品化。在产品研发与产业化过程中培养国家急需的高层次复合型人才,真正形成产、学、研一体的高创造力、高技术、高利润,强竞争力的知识经济摸式的高新企业集团。
我公司主要产品有:硅材料抛光液系列、蓝宝石抛光液 、砷化镓单晶材料抛光液、清洗剂、螯合剂、倒角液、多层布线铜抛光液、计算机硬盘基片抛光液、多层布线SiO2抛光液、硅片磨削液系列、单晶硅滚磨液系列等。同时还可以根据客户的标准开发特异型系列产品。
公司宗旨:创新,质量,效益。
联系方式
- 公司地址:
- 华苑产业区科馨公寓20门501-5室
- 销售主管:
- 陈永顺
- 电子邮件:
- liuyl@jingling.com.cn
- 邮政编码:
- 300000
- 顺企®采购:
- 请卖家联系我在线采购产品
其他联系方式
电子邮箱 | liuyl@jingling.com.cn |
座机号码 | 022-27272871 |
手机号码 | 13602076962 |
工商信息和基本资料
- 法人名称:
- 天津晶岭微电子材料有限公司
- 简称:
- 晶岭微电子材料
- 主要经营产品:
- 硅单晶衬底材料抛光液 , 蓝宝石抛光液 , 清洗剂 , 螯合剂 , 磨削液 , 倒角液 , 超大规模集成电路CMP碱性抛光液 , 计算机硬盘抛光液 , 电化学氧化清洗剂 , 砷化镓单晶材料抛光液
- 经营范围:
- 电子信息、机电一体化、新材料、环保技术开发、咨询、服务、转让;仪器仪表、计算机及外围设备、五金、交电、化工(危险品及易制毒除外)批发兼零售;以下限分支机构:抛光液、研磨液制造。(经营活动中凡国家有专项专营规定的,按规定执行)
- 营业执照号码:
- 120193000003320
- 发证机关:
- 天津滨海高新技术产业开发区市场监督管理局
- 法人类型:
- 有限责任公司
- 经营期限:
- 永久
- 经营状态:
- 存续
- 成立时间:
- 2005年05月09日
- 职员人数:
- 11人
- 注册资本:
- 312万人民币 (万元)
- 所属行业:
- 电子材料、零部件、结构件
- 所属城市黄页:
- 天津企业网
- 顺企编码:
- 19328281
天津晶岭微电子材料有限公司的股东
股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
---|---|---|
刘玉岭 | 88.62% | 人民币276.5万元 |
康静业 | 11.38% | 人民币35.5万元 |
天津晶岭微电子材料有限公司的工商变更记录
变更项目 | 变更后 | 变更前 | 时间 |
---|---|---|---|
董事 监事 经理人员信息 | 姓名:刘锂; | 姓名:刘纳; | 2020-09-01 |
高级管理人员备案 | 姓名:刘锂; [新增] | 姓名:刘纳; [退出] | 2020-09-01 |
实收资本 | 312 | 60 | 2010-05-28 |
注册资本 | 312 | 60 | 2010-05-28 |
投资人实缴出资信息 | 本期实缴出资额: 35.5;出资日期: 2007-07-27 | 空 | 2010-05-28 |
投资人实缴出资信息 | 本期实缴出资额: 276.5;出资日期: 2010-04-30 | 空 | 2010-05-28 |
实收资本 | 312( + 420% ) | 60 | 2010-05-28 |
投资人实缴出资信息 | 本期实缴出资额: 276.5 出资日期: 2010-04-30 | 空 | 2010-05-28 |
注册资本 | 312( + 420% ) | 60 | 2010-05-28 |
营业期限截止日期 | 2025-05-08 | 2015-05-08 | 2010-05-28 |
天津晶岭微电子材料有限公司的组织架构
名字 | 职务 |
---|---|
刘纳 | 监事 |
康静业 | 经理 |
刘玉岭 | 执行董事 |
天津晶岭微电子材料有限公司的专利证书
CN102010670B | 发明授权 | 2013-03-06 | 高浓度Ti阻挡层表面化学机械抛光液的制备方法 | 染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用 | 刘玉岭;孙鸣;项霞 |
CN100528480C | 发明授权 | 2009-08-19 | 蓝宝石衬底材料高去除速率的控制方法 | 刘玉岭;牛新环 | |
CN102010666A | 发明公布 | 2011-04-13 | 超大规模集成电路硅衬底的化学机械抛光液制备方法 | 染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用 | 刘玉岭;周建伟;赵巧云 |
CN102020975B | 发明授权 | 2013-04-03 | 镁铝合金材料表面化学机械抛光液的制备方法 | 刘玉岭;王伟;牛新环;徐文忠 | |
CN102010659B | 发明授权 | 2013-06-05 | 用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液的制备方法 | 刘玉岭;檀柏梅;胡轶 | |
CN1864924A | 发明公布 | 2006-11-22 | 计算机硬盘基片粗糙度的控制方法 | 刘玉岭;刘长宇 | |
CN105506632A | 发明公布 | 2016-04-20 | 碱性抛光液在低压力下提高GLSI铜布线铜膜去除速率的应用 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制 | 刘玉岭;武鹏;孙鸣 |
CN102020923A | 发明公布 | 2011-04-20 | 锑化铟材料表面化学机械抛光液的制备方法 | 染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用 | 刘玉岭;王娟;李晖 |
CN102010665B | 发明授权 | 2013-06-05 | 极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法 | 染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用 | 刘玉岭;潘国峰;王辰伟 |
CN102010668A | 发明公布 | 2011-04-13 | 磷酸氧钛钾晶体CMP抛光液的制备方法 | 染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用 | 刘玉岭;牛新环;刘钠 |
CN1895798A | 发明公布 | 2007-01-17 | 液晶显示屏电化学清洗方法 | 清洁 | 刘玉岭;李薇薇;常明;潘鹏 |
CN102010663B | 发明授权 | 2013-06-05 | 二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法 | 刘玉岭;檀柏梅;刘海晓 | |
CN102010664B | 发明授权 | 2013-02-27 | 硬盘磷化铟基板CMP抛光液的制备方法 | 刘玉岭;王胜利;项霞 | |
CN102010658A | 发明公布 | 2011-04-13 | 钨钼合金材料化学机械抛光液的制备方法 | 刘玉岭;潘国峰;陈海涛 | |
CN102010666B | 发明授权 | 2013-03-06 | 超大规模集成电路硅衬底的化学机械抛光液制备方法 | 染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用 | 刘玉岭;周建伟;赵巧云 |
CN102010794A | 发明公布 | 2011-04-13 | 液晶显示屏水基清洗液的制备方法 | 动物或植物油、脂、脂肪物质或蜡;由此制取的脂肪酸;洗涤剂;蜡烛 | 刘玉岭;高宝红;檀柏梅;黄妍妍 |
CN105419651A | 发明公布 | 2016-03-23 | CMP中碱性抛光液抑制GLSI铜钴阻挡层电偶腐蚀的应用 | 刘玉岭;潘辉;高宝红 | |
CN102010665A | 发明公布 | 2011-04-13 | 极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法 | 染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用 | 刘玉岭;潘国峰;王辰伟 |
CN102010660B | 发明授权 | 2013-03-06 | 钽化学机械抛光液的制备方法 | 刘玉岭;王胜利;穆会来 | |
CN102020975A | 发明公布 | 2011-04-20 | 镁铝合金材料表面化学机械抛光液的制备方法 | 刘玉岭;王伟;牛新环;徐文忠 |