天津晶岭微电子材料有限公司

公司简介


本公司同河北工业大学微电子材料研究所紧密结合,有一支主要由博士生、硕士生组成的高水平的技术与管理团队。公司有极强的创造能力,至今已经申报31项国家发明专利和4项国际发明专利,已成为华苑高新技术产业园区发明专利重点企业。研究所承担博士、硕士人才培养,并承担产品与技术创新的研究开发任务,企业需要的新技术新产品,由所研究开发,企业承担新产品的产业化、商品化。在产品研发与产业化过程中培养国家急需的高层次复合型人才,真正形成产、学、研一体的高创造力、高技术、高利润,强竞争力的知识经济摸式的高新企业集团。
我公司主要产品有:硅材料抛光液系列、蓝宝石抛光液 、砷化镓单晶材料抛光液、清洗剂、螯合剂、倒角液、多层布线铜抛光液、计算机硬盘基片抛光液、多层布线SiO2抛光液、硅片磨削液系列、单晶硅滚磨液系列等。同时还可以根据客户的标准开发特异型系列产品。
公司宗旨:创新,质量,效益。

联系方式

公司地址:
华苑产业区科馨公寓20门501-5室
销售主管:
陈永顺
电子邮件:
liuyl@jingling.com.cn
邮政编码:
300000
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其他联系方式

电子邮箱liuyl@jingling.com.cn
座机号码022-27272871
手机号码13602076962

工商信息和基本资料

法人名称:
天津晶岭微电子材料有限公司
简称:
晶岭微电子材料
主要经营产品:
硅单晶衬底材料抛光液 , 蓝宝石抛光液 , 清洗剂 , 螯合剂 , 磨削液 , 倒角液 , 超大规模集成电路CMP碱性抛光液 , 计算机硬盘抛光液 , 电化学氧化清洗剂 , 砷化镓单晶材料抛光液
经营范围:
电子信息、机电一体化、新材料、环保技术开发、咨询、服务、转让;仪器仪表、计算机及外围设备、五金、交电、化工(危险品及易制毒除外)批发兼零售;以下限分支机构:抛光液、研磨液制造。(经营活动中凡国家有专项专营规定的,按规定执行)
营业执照号码:
120193000003320
发证机关:
天津滨海高新技术产业开发区市场监督管理局
法人类型:
有限责任公司
经营期限:
永久
经营状态:
存续
成立时间:
2005年05月09日
职员人数:
11人
注册资本:
312万人民币 (万元)
所属行业:
电子材料、零部件、结构件
所属城市黄页:
天津企业网
顺企编码:
19328281

天津晶岭微电子材料有限公司的股东

股东名字出资比例出资额
刘玉岭88.62%人民币276.5万元
康静业11.38%人民币35.5万元

天津晶岭微电子材料有限公司的工商变更记录

变更项目变更后变更前时间
董事 监事 经理人员信息姓名:刘锂;姓名:刘纳;2020-09-01
高级管理人员备案姓名:刘锂; [新增]姓名:刘纳; [退出]2020-09-01
实收资本312602010-05-28
注册资本312602010-05-28
投资人实缴出资信息本期实缴出资额: 35.5;出资日期: 2007-07-272010-05-28
投资人实缴出资信息本期实缴出资额: 276.5;出资日期: 2010-04-302010-05-28
实收资本312( + 420% )602010-05-28
投资人实缴出资信息本期实缴出资额: 276.5 出资日期: 2010-04-302010-05-28
注册资本312( + 420% )602010-05-28
营业期限截止日期2025-05-082015-05-082010-05-28

天津晶岭微电子材料有限公司的组织架构

名字职务
刘纳监事
康静业经理
刘玉岭执行董事

天津晶岭微电子材料有限公司的专利证书

CN102010670B发明授权2013-03-06高浓度Ti阻挡层表面化学机械抛光液的制备方法染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用刘玉岭;孙鸣;项霞
CN100528480C发明授权2009-08-19蓝宝石衬底材料高去除速率的控制方法刘玉岭;牛新环
CN102010666A发明公布2011-04-13超大规模集成电路硅衬底的化学机械抛光液制备方法染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用刘玉岭;周建伟;赵巧云
CN102020975B发明授权2013-04-03镁铝合金材料表面化学机械抛光液的制备方法刘玉岭;王伟;牛新环;徐文忠
CN102010659B发明授权2013-06-05用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液的制备方法刘玉岭;檀柏梅;胡轶
CN1864924A发明公布2006-11-22计算机硬盘基片粗糙度的控制方法刘玉岭;刘长宇
CN105506632A发明公布2016-04-20碱性抛光液在低压力下提高GLSI铜布线铜膜去除速率的应用对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制刘玉岭;武鹏;孙鸣
CN102020923A发明公布2011-04-20锑化铟材料表面化学机械抛光液的制备方法染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用刘玉岭;王娟;李晖
CN102010665B发明授权2013-06-05极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用刘玉岭;潘国峰;王辰伟
CN102010668A发明公布2011-04-13磷酸氧钛钾晶体CMP抛光液的制备方法染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用刘玉岭;牛新环;刘钠
CN1895798A发明公布2007-01-17液晶显示屏电化学清洗方法清洁刘玉岭;李薇薇;常明;潘鹏
CN102010663B发明授权2013-06-05二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法刘玉岭;檀柏梅;刘海晓
CN102010664B发明授权2013-02-27硬盘磷化铟基板CMP抛光液的制备方法刘玉岭;王胜利;项霞
CN102010658A发明公布2011-04-13钨钼合金材料化学机械抛光液的制备方法刘玉岭;潘国峰;陈海涛
CN102010666B发明授权2013-03-06超大规模集成电路硅衬底的化学机械抛光液制备方法染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用刘玉岭;周建伟;赵巧云
CN102010794A发明公布2011-04-13液晶显示屏水基清洗液的制备方法动物或植物油、脂、脂肪物质或蜡;由此制取的脂肪酸;洗涤剂;蜡烛刘玉岭;高宝红;檀柏梅;黄妍妍
CN105419651A发明公布2016-03-23CMP中碱性抛光液抑制GLSI铜钴阻挡层电偶腐蚀的应用刘玉岭;潘辉;高宝红
CN102010665A发明公布2011-04-13极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用刘玉岭;潘国峰;王辰伟
CN102010660B发明授权2013-03-06钽化学机械抛光液的制备方法刘玉岭;王胜利;穆会来
CN102020975A发明公布2011-04-20镁铝合金材料表面化学机械抛光液的制备方法刘玉岭;王伟;牛新环;徐文忠
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