扬州晶新微电子有限公司是中外合资企业，成立于1998年，投资总额5000万美元，注册资本2963万美元，是高新技术企业、江苏省专精特新企业。公司位于扬州经济技术开发区鸿大路29号，占地面积约51.000平方米，员工800余人。公司拥有4时、5时、6时芯片生产线。公司从事半导体分立器件芯片的研发、制造和销售，并承接双极型生成电路芯片的代工业务。
公司主要产品有:小信号品体管装片，大功电品体管芯片、开关品体管芯片、数字品体管芯片、达林顿晶体管芯片、品闸管芯片，开关二极管芯片当特基二极管芯片，快恢复二极管芯片瞬态电压抑制二极管芯片、稳压二极管芯片和双极型集成电路(IC)芯片等。
公司拥有一支实力雄厚的技术团队，拥有自主知识产权，现有发明专利15个，实用新型专利48个。公司已经通过ISO9001质量管理、ISO14001环境管理、QC080000有害物质管理、IATF 16949汽车质量管理、两化融合管理及知识产权管理等体系认证。产品除满足国内大多数封装企业需求外，还远销美国、日本、韩国等海外市场。
联系方式
- 公司地址：
- 扬州市鸿大路29号 -
- 固定电话：
- (0514)
- 经理：
- 李晨曦
- 经理手机：
- 18061157259
- 电子邮件：
- 130120160@qq.com
- 在线QQ咨询：
- 邮政编码：
- 225003
- 顺企®采购：
- 请卖家联系我在线采购产品
工商信息和基本资料
- 法人名称：
- 扬州晶新微电子有限公司
- 简称：
- 晶新微电子
- 主要经营产品：
- 二三极管芯片：稳压管芯片 , 达林顿芯片 , 肖特基芯片 , 功率管芯片 , 开关管芯片 , 可控硅芯片 , 及对应成管 , 二手半导体设备
- 经营范围：
- 生产功率半导体器件。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
- 营业执照号码：
- 913210917115473363
- 发证机关：
- 扬州经济技术开发区市场监督管理局
- 法人类型：
- 有限责任公司(中外合资)
- 地区编码：
- 321091
- 组织机构代码：
- 71154733-6
- 经营期限：
- 永久
- 经营状态：
- 存续
- 经营模式：
- 生产厂家
- 成立时间：
- 1998年11月24日
- 所属行业：
- 开关二极管
- 所属城市黄页：
- 扬州企业网
- 顺企编码：
- 14904276
扬州晶新微电子有限公司发布的产品供应信息
JCR/JTR单双向小可控硅晶圆芯片（4寸）价格：1.00元/片 品牌:扬晶微 产地:江苏扬州 / 2023-08-17- 三极管8050晶圆芯片价格：1.00元/件 产品类型:晶圆芯片 是否进口:国产 品牌:Genesis / 2023-08-11
外延平面开关二极管芯片（4＂） BAV199价格：面议 产品类型: 是否进口:否 品牌:Genesis / 2010-01-01
外延平面开关二极管芯片（4＂） BAS21价格：面议 产品类型: 是否进口:否 品牌:Genesis / 2010-01-01
外延平面二极管 (4＂) 1SS187价格：面议 产品类型: 是否进口:否 品牌:Genesis / 2010-01-01
外延平面二极管 (4＂) BAV99价格：面议 产品类型: 是否进口:否 品牌:Genesis / 2010-01-01
稳压二极管芯片ZD6.8价格：面议 品牌:晶新 型号:ZD6.8 应用范围:稳压 / 2010-01-01
稳压二极管芯片ZD7.5价格：面议 品牌:晶新 型号:ZD7.5 应用范围:稳压 / 2010-01-01
稳压二极管芯片ZD7.5(玻封)价格：面议 品牌:晶新 型号:ZD7.5(玻封) 应用范围:稳压 / 2010-01-01
稳压二极管芯片ZD8.2价格：面议 品牌:晶新 型号:ZD8.2 应用范围:稳压 / 2010-01-01
稳压二极管芯片ZD9.1价格：面议 品牌:晶新 型号:ZD9.1 应用范围:稳压 / 2010-01-01
稳压二极管芯片ZD11 晶新价格：面议 品牌:晶新 型号:ZD11 应用范围:稳压 / 2010-01-01
稳压二极管芯片ZD10 晶新价格：面议 品牌:晶新 型号:ZD10 应用范围:稳压 / 2010-01-01
稳压二极管芯片ZD13 晶新价格：面议 品牌:晶新 型号:ZD13 应用范围:稳压 / 2010-01-01
稳压二极管芯片ZD12 晶新价格：面议 品牌:晶新 型号:ZD12 应用范围:稳压 / 2010-01-01
稳压二极管芯片ZD18 晶新价格：面议 品牌:晶新 型号:ZD18 应用范围:稳压 / 2010-01-01
稳压二极管芯片ZD16 晶新价格：面议 品牌:晶新 型号:ZD16 应用范围:稳压 / 2010-01-01
肖特基二极管芯片1N5819价格：面议 品牌:晶新 型号:1N5819 应用范围:肖特基 / 2010-01-01
肖特基二极管芯片BAS40价格：面议 品牌:晶新 型号:BAS40 应用范围:肖特基 / 2010-01-01
达林顿三极管芯片TIPP112价格：面议 品牌:晶新 型号:TIPP112 封装形式:直插型 / 2010-01-01
达林顿三极管芯片TIPP117价格：面议 品牌:晶新 型号:TIPP117 封装形式:直插型 / 2010-01-01- 肖特基二极管芯片BAT54价格：面议 品牌:晶新 型号:BAT54 应用范围:肖特基 / 2010-01-01
人才招聘
| 职位名称 | 月薪 | 学历要求 | 职位要求 | 发布日期 |
|---|---|---|---|---|
| 红案厨师 | 岗位职责：
1.在厨师长领导指挥下，负责... | 2021-11-01 | ||
| 保洁 | 岗位职责：
1、负责所分配区域的卫生清洁... | 2021-10-27 | ||
| 工艺工程师 | 5-8千/月 | 本科以上 | 技能要求：
半导体，微电子，集成电路
半... | 2021-08-11 |
| 动力值班工 | 3-3.8千/月 | 中专以上 | 18周岁以上 男女不限，上二休二，有夜班... | 2021-08-09 |
| 网络营销部英语客服 | 4千-6千 | 本科 | 英语六级，并具备良好的英语口语表达能力1... | 2019-09-30 |
| mos产品研发工程师 | 6千-1.2万 | 本科 | 高中低压mos产品设计工程师本科学历，有... | 2019-09-17 |
| 六吋mos芯片工艺工程师 | 4千-8千 | 本科 | 岗位职责：负责生产工艺的优化、改进，降低... | 2019-09-17 |
| 半导体工艺工程师 | 5千-8千 | 本科 | 半导体器件、微电子、应用电子等相关专业毕... | 2019-09-17 |
| 半导体芯片业务员 | 6千-1.2万 | 大专 | 大专以上学历有半导体芯片或成管销售经验者... | 2019-09-17 |
| 操作工 | 4千-5.5千 | 中专 | 年龄要求：不限计件工资薪资：4000-5... | 2019-09-17 |
扬州晶新微电子有限公司的股东
| 股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
|---|---|---|
| 日本国际电子贸易株式会社 | 79.5241% | 1217万美元,1113万美元,26.339582万美元 |
| 扬州工业资产经营管理有限责任公司 | 14.2963% | 200万美元,223.660418万美元 |
| 扬州市扬子江投资发展集团有限责任公司 | 6.1762% | 183万美元 |
扬州晶新微电子有限公司的工商变更记录
| 变更项目 | 变更后 | 变更前 | 时间 |
|---|---|---|---|
| 营业期限变更 | 2028-11-23 | 2018-11-23 | 2018-11-19 |
扬州晶新微电子有限公司的组织架构
| 名字 | 职务 |
|---|---|
| 高祺 | 董事长 |
| 蔡余良 | 董事 |
| 蒋芸 | 董事 |
| 裴峥 | 董事 |
| 李渝超 | 董事 |
| 沈明贵 | 董事 |
| 王顺山 | 副董事长 |
扬州晶新微电子有限公司的专利证书
| CN103325678A | 发明公布 | 2013-09-25 | IC2微米厚铝刻蚀工艺方法 | 基本电气元件 | 包琴凤;朱杰 |
| CN101982870A | 发明公布 | 2011-03-02 | 芯片减薄工艺中芯片的保护方法 | 基本电气元件 | 张俊 |
| CN103325678B | 发明授权 | 2015-10-28 | 集成电路2微米厚铝刻蚀工艺方法 | 基本电气元件 | 包琴凤;朱杰 |
| CN204732384U | 实用新型 | 2015-10-28 | 一种用于5吋硅晶圆片磷预扩散的石英舟 | 基本电气元件 | 李建林;张春风 |
| CN203299661U | 实用新型 | 2013-11-20 | 用半导体制冷片的液态源源温控制器 | 顾金海 | |
| CN101819950B | 发明授权 | 2013-09-04 | P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺 | 基本电气元件 | 魏守国;雷必庆 |
| CN204631069U | 实用新型 | 2015-09-09 | 一种电力可控硅管芯的测试夹具 | 测量；测试 | 薛新兵 |
| CN103383916A | 发明公布 | 2013-11-06 | 可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化方法 | 基本电气元件 | 徐永平;王仁书;张俊 |
| CN101819950A | 发明公布 | 2010-09-01 | P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺 | 基本电气元件 | 魏守国;雷必庆 |
| CN201933149U | 实用新型 | 2011-08-17 | 晶圆片背面金层蒸镀工艺用的装片夹具 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制 | 黄仕锋;吕春林 |
| CN103383916B | 发明授权 | 2016-03-02 | 可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化方法 | 基本电气元件 | 徐永平;王仁书;张俊 |
| CN201927611U | 实用新型 | 2011-08-10 | 平面晶体管 | 基本电气元件 | 陈震;蒋荣庆 |
| CN204857685U | 实用新型 | 2015-12-09 | 一种硅晶圆片倾斜式腐蚀缸 | 基本电气元件 | 卢虹 |
| CN201741696U | 实用新型 | 2011-02-09 | P沟道JFET与双极混合集成电路 | 基本电气元件 | 魏守国;雷必庆 |
| CN204868514U | 实用新型 | 2015-12-16 | 基于4英寸硅圆片的小尺寸硅圆片减薄辅助加工工具 | 磨削；抛光 | 葛军 |
| CN102435361A | 发明公布 | 2012-05-02 | 硅单晶片的残余应力的测试方法 | 测量；测试 | 徐永平;刘剑 |
| CN103325721B | 发明授权 | 2015-09-09 | 滚动式倒片方法 | 基本电气元件 | 刘伯实;严立人;陶耀轩 |
| CN201934976U | 实用新型 | 2011-08-17 | 半导体硅集成制造工艺中硅片目检照明用的强光灯 | 王晓峰;陈广宏 | |
| CN102435361B | 发明授权 | 2013-03-13 | 硅单晶片的残余应力的测试方法 | 测量；测试 | 徐永平;刘剑 |
| CN201906534U | 实用新型 | 2011-07-27 | 用于化学气相淀积工艺的真空除尘系统 | 王晓峰 |
扬州晶新微电子有限公司的法律诉讼：
| 文书名称 | 日期 | 编号 |
| 扬州晶新微电子有限公司与广州市晶源半导体有限公司买卖合同纠纷执行裁定书 | 2015-12-18 | （2015）穗荔法执字第4334号 |
| 扬州晶新微电子有限公司与广州市晶源半导体有限公司买卖合同纠纷一审民事判决书 | 2015-01-19 | （2014）穗荔法民二初字2409号 |
| 扬州晶新微电子有限公司与深圳市中洋田电子技术股份有限公司合同普通执行执行裁定书 | 2014-04-24 | （2014）深福法执字第4835号 |